
一、考試要點
(一)半導體晶體結構和缺陷
半導體的分類及其特點,半導體的性質及導電能力對外界因素的依賴性,半導體化學鍵的性質和半導體的晶體結構,金剛石與閃鋅礦結構的特點及其各向異性。
(二)半導體中的電子狀態
半導體中電子狀態與能帶,半導體中的電子運動與有效質量,空穴,回旋共振原理與作用,Si的回旋共振實驗結果,常用元素半導體和典型化合物半導體的能帶結構。
(三)半導體中雜志和缺陷能級
半導體中的雜質和缺陷,元素半導體中的雜質和缺陷能級,化合物半導體中的雜質能級、位錯和缺陷能級。
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體中的雜質能級
等電子雜質與等電子陷阱
半導體中的缺陷與位錯能級
(四)半導體中載流子的統計分布
狀態密度,分布函數、Fermi能級,載流子統計分布,本征和雜質半導體的載流子濃度,補償半導體的載流子濃度,簡并半導體
(五)半導體的導電性
載流子的漂移運動,遷移率,載流子的散射,遷移率與雜質濃度和溫度的關系,電阻率與雜質濃度和溫度的關系,強場效應與熱載流子
(六)非平衡載流子
非平衡狀態,非平衡載流子的產生與復合,非平衡載流子壽命,準費米能級,復合理論,陷阱效應,非平衡載流子載流子的擴散與漂移,愛因斯坦關系,連續性方程
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