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　　哈爾濱理工大學的823半導體物理與集成電路基礎是085400電子信息03集成電路工程方向的重點專業考察科目。各位23打算報考該方向的考生在備考時可以借助其考試大綱了解備考方向與重點。這里高頓小編已經為大家整理好了其823考試大綱的內容，各位23考研人快來一起看看吧~

　　哈爾濱理工大學823半導體物理與集成電路基礎具體考察安排如下：

　　一、《半導體物理》部分

　　一）參考書目：

　　《半導體物理學》（第四版）劉恩科，國防工業出版社，2010年1月

　　二）考試目的與要求

　　考察考生對半導體物理的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用基礎知識解決電子科學與技術相關問題的能力。要求考生對半導體物理的基本概念有較深入的了解，能夠系統地掌握半導體物理中基本定律的推導、證明和應用，并具有綜合運用所學知識分析問題和解決問題的能力。

　　三）試卷結構（滿分75分）

　　題型比例：1．名詞解釋，約20分2．簡答題，約20分3．計算題，約20分4．分析論述題，約15分

　　四）考試內容與要求

　　（一）半導體的晶格結構和電子狀態

　　考試內容：半導體的晶格結構和結合性質，能帶，半導體中的共有化運動和有效質量，本征半導體的導電機構，空穴，硅和鍺及III－V族化合物半導體的能帶結構。

　　考試要求：1．理解半導體的共有化運動、能帶、布里淵區、有效質量的基本概念。2．理解本征半導體的導電機構，理解空穴的概念。3．理解硅和鍺的能帶結構，掌握有效質量的計算方法。

　　（二）半導體中雜質和缺陷能級

　　考試內容：半導硅、鍺晶體中的雜質能級、點缺陷、位錯。

　　考試要求：1．理解替位式雜質、間隙式雜質、施主雜質、施主能級、受主雜質、受主能級的概念。2．理解點缺陷、位錯的概念及機制。

　　（三）半導體中載流子的統計分布

　　考試內容：狀態密度，費米能級和載流子的統計分布，本征半導體的載流子濃度，雜質半導體的載流子濃度，一般情況下的載流子統計分布，簡并半導體。

　　考試要求：1．理解并熟練掌握狀態密度的概念和表示方法。2．理解并熟練掌握費米能級和載流子的統計分布。3．理解并熟練掌握本征半導體的載流子濃度的概念和表示方法。4．理解并熟練掌握雜質半導體的載流子濃度的概念和表示方法。5．理解并掌握一般情況下的載流子統計分布。6．理解并熟練掌握簡并半導體的概念，簡并半導體的載流子濃度的表示方法，簡并化條件。了解禁帶變窄效應。

　　（四）半導體的導電性

　　考試內容：載流子的漂移運動，遷移率，遷移率與雜質濃度和溫度的關系，強電場下的效應，熱載流子。

　　考試要求：1．理解遷移率的概念。并熟練掌握載流子的漂移運動。2．理解并熟練掌握遷移率與雜質濃度和溫度的關系。3．了解強電場下的效應和熱載流子的概念。

　　（五）非平衡載流子

　　考試內容：非平衡載流子的注入與復合，非平衡載流子的壽命，準費米能級，復合理論，載流子的擴散運動，載流子的漂移運動，連續性方程式。

　　考試要求：1．理解非平衡載流子的注入與復合、非平衡載流子的壽命、準費米能級的概念。

　　2．了解復合理論，理解直接復合、間接復合、表面復合、俄歇復合的概念。3．理解并熟練掌握載流子的擴散運動、漂移運動。4．理解并熟練掌握連續性方程式。

　　（六）p-n結

　　考試內容：p-n結及其能帶圖，p-n結電流電壓特性，p-n結電容，p-n結擊穿，p-n結隧道效應。

　　考試要求：1．理解并掌握p-n結及其能帶圖。2．理解并掌握p-n結電流電壓特性。3．理解p-n結電容的概念、電容表達式。4．理解雪崩擊穿、隧道擊穿、熱擊穿的概念。5．了解p-n結隧道效應。

　　（七）金屬和半導體的接觸

　　考試內容：金屬半導體接觸及其能級圖，金屬半導體接觸整流理論。